11月8日，根據(jù)日本媒體報(bào)道，住友金屬子公司Sicoxs計(jì)劃把一項(xiàng)新的SiC襯底進(jìn)行商業(yè)化，目標(biāo)產(chǎn)能是12萬片/年，據(jù)稱可將SiC襯底成本降低50%。

      Sicoxs成立于2012年6月。2017年10月，住友金屬礦業(yè)株式會社收購Sicoxs 51%的股權(quán)。
      據(jù)介紹，Sicoxs開發(fā)了一種新穎的襯底制造技術(shù)“SiCkrest”——將SiC單晶襯底鍵合在 SiC多晶襯底上，這樣既可以減少SiC單晶襯底的使用量，又可以獲得與單晶襯底相同的器件特性。
簡單來說，“SiCkrest”是將一塊單晶襯底制作出多片1微米或更薄的襯底，從而降低了每塊襯底的成本。

      它主要有三個(gè)步驟：第一步是將單晶SiC襯底貼合在多晶SiC襯底上；第二步是將單晶襯底從多晶襯底上剝離；第三步，對粘在多晶襯底上單晶襯底實(shí)施研磨等處理。

       與此同時(shí)，剝離下來的單晶襯底將再次貼到多晶襯底上，然后重復(fù)上述操作。
2013年時(shí)，Sicoxs表示這種技術(shù)可以降低50%的SiC單晶襯底成本。而據(jù)《化學(xué)工業(yè)日報(bào)》的報(bào)道，與單晶 SiC產(chǎn)品相比，這項(xiàng)技術(shù)預(yù)期成本可降低10%-20%。
另一個(gè)好處是，這項(xiàng)技術(shù)由于采用了低電阻率的多晶襯底，因此還可提高器件效率。

      2013年，Sicoxs使用這種新方法制作了SiC二極管原型。據(jù)介紹，經(jīng)過日本京都大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)的評估，該器件完全可以正常工作。

       Sicoxs表示，自2017年以來，他們一直在建設(shè)粘合SiC襯底的量產(chǎn)示范線，目前正在向客戶銷售樣品。
       據(jù)報(bào)道，Sicoxs公司計(jì)劃推進(jìn)這項(xiàng)技術(shù)在電源控制單元（PCU）等車載產(chǎn)品應(yīng)用，同時(shí)計(jì)劃在2025年將6英寸SiC襯底年產(chǎn)能增加到1萬片/月。

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