產(chǎn)品
儲(chǔ)能電池艙消防系統(tǒng)火災(zāi)自動(dòng)報(bào)警及滅火聯(lián)動(dòng)設(shè)計(jì)方案
浙江藍(lán)盾抑制劑簡(jiǎn)介
3F-125氟化液材料兼容性清單
3F產(chǎn)品與3M、蘇威產(chǎn)品對(duì)標(biāo)
氟化液3F-135檢測(cè)報(bào)告
ROHS2.0檢測(cè)報(bào)告
檢驗(yàn)報(bào)告 電池消防專(zhuān)用復(fù)合型抑制劑-浙江藍(lán)盾
3F-135檢測(cè)報(bào)告02
服務(wù)
技術(shù)服務(wù)
進(jìn)口二手設(shè)備的翻新再制造、技術(shù)支持與服務(wù)、備品備件銷(xiāo)售。針對(duì)生產(chǎn)線(xiàn)建設(shè)與改造擴(kuò)產(chǎn)等項(xiàng)目,提供從國(guó)內(nèi)及國(guó)外的設(shè)備檢查、拆機(jī)、包裝運(yùn)輸、安裝調(diào)試等服務(wù)。
代理業(yè)務(wù)
加拿大、美國(guó)檢測(cè)設(shè)備;濕法清洗設(shè)備(國(guó)內(nèi)工廠(chǎng));臺(tái)灣硅片甩干機(jī);激光晶圓子凍切割系統(tǒng);其他代理(進(jìn)行中)
未來(lái)規(guī)劃
現(xiàn)有主營(yíng)業(yè)務(wù)在半導(dǎo)體,LED,核心圍繞光刻,MOCVD,IBE設(shè)備,硬件、軟件、維保等相關(guān)業(yè)務(wù);IC 半導(dǎo)體廠(chǎng)中相關(guān)配件銷(xiāo)售及技術(shù)支持服務(wù)占比逐漸升高;開(kāi)始進(jìn)軍SiC 及其他新興第三代半導(dǎo)體相關(guān)業(yè)務(wù)領(lǐng)域。
我們
成立于2020年。公司現(xiàn)階段投資張家港國(guó)家級(jí)的再制造產(chǎn)業(yè)園新工廠(chǎng),廠(chǎng)房面積近3000平方米,已建設(shè)800平方米的凈化廠(chǎng)房及配套電力氣體等動(dòng)力環(huán)境設(shè)施,能夠完整全面地實(shí)施設(shè)備研發(fā)生產(chǎn)及再制造相關(guān)工程。公司有20多位工程師和技術(shù)員,大部分有本科和大專(zhuān)學(xué)歷,且有半導(dǎo)體行業(yè)工作背景,技術(shù)過(guò)硬的工程師。
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新聞
11-21
2023
點(diǎn)缺陷及在半導(dǎo)體材料中作用
3 引入空位后應(yīng)力的變化傳統(tǒng)的降低GaN層位錯(cuò)密度的策略是引入三維(3D)生長(zhǎng)模式的各種方式,如外延橫向過(guò)度生長(zhǎng)(ELOG)和SiNx層。這里提
在半導(dǎo)體材料中,點(diǎn)缺陷常常會(huì)影響器件的性能和可靠性,點(diǎn)缺陷包含空位、絡(luò)合物以及中間物等。點(diǎn)缺陷在外延材料生長(zhǎng)中似乎不可避免,我們總
一文了解分子束外延(MBE)技術(shù)(2)
生長(zhǎng)模式的不同受生長(zhǎng)熱力學(xué)和動(dòng)力學(xué)過(guò)程控制。所以,在MBE生長(zhǎng)過(guò)程中控制生長(zhǎng)溫度和生長(zhǎng)速率是控制外延材料質(zhì)量的關(guān)鍵。在InAs GaSb超晶格
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