中國GaN公司英諾賽科日前宣布推出INN40W08，這是一款適用于筆記本電腦和手機等移動設(shè)備的40V雙向GaN-on-Si增強模式HEMT。INN40W08 HEMT是使用該公司的InnoGaN技術(shù)開發(fā)的。

英諾賽科歐洲總經(jīng)理兼美國和歐洲市場經(jīng)理 Denis Marcon 評論道：“在過去的幾年中，手機充電器制造商已采用 GaN 技術(shù)來提供更大的功率并縮小設(shè)備尺寸。然而，英諾賽科的重大突破使其有可能將GaN HEMT引入手機，從而提高效率和性能。憑借英諾賽科巨大的可用產(chǎn)能，我們提供了當今客戶期望的安全供應(yīng)鏈。”

新型INN40W08 GaN HEMT具有雙向阻斷能力，其導通電阻為7.8mΩ。這是通過專利的應(yīng)變增強層技術(shù)實現(xiàn)的，該技術(shù)可將薄層電阻降低 66%。柵極電荷 (QG) 通常為 12.7nC。5x5 網(wǎng)格晶圓級芯片規(guī)格封裝 (WLCSP) 尺寸為 2x2 mm。

小尺寸使 INN40W08 GaN HEMT 能夠集成到手機內(nèi)部。應(yīng)用包括高端負載開關(guān)、智能手機 USB 端口中的過壓保護以及包括充電器和適配器在內(nèi)的多個電源。在過壓保護系統(tǒng)中，該技術(shù)可以用一個 InnoGaN（或 BiGaN）晶體管代替兩個硅MOSFET。

本文轉(zhuǎn)載自微信公眾號CSC化合物半導體，僅供學習參考，不做其他用途。