本文作者：王俊
湖南大學電氣與信息工程學院教授、博士生導師，IEEE高級會員。王俊教授近十年主要從事功率半導體器件及其在電力電子系統(tǒng)中應用的研究，研制了世界首個碳化硅ETO晶閘管，在國際高水平刊物和會議上已發(fā)表論文七十余篇，獲2項美國發(fā)明專利和1項日本發(fā)明專利，5項中國專利。主要研究方向包括：1）硅基功率MOSFET和IGBT的研究，碳化硅（SiC）功率器件的研究，3）氮化鎵（GaN）器件的研究，4)電力電子器件的智能驅動，5）高功率密度變換器的研究。近年來，主持參與了國家自然科學基金面上項目、國家“863”項目和企業(yè)橫向合作項目等。

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