<ul id="o2ywg"></ul>
新聞
news
03-17
2023
硅的替代材料，新突破
二維半導體有機會激發(fā)電子設備功能的重大進步，取代硅基芯片。然而，許多問題繼續(xù)阻礙這些設備的發(fā)展。一個主要問題是載流子遷移率，即電子
03-02
5G 網(wǎng)絡中的氮化鎵半導體
隨著 5G 技術的發(fā)展，人們正在爭奪更快、更可靠的通信網(wǎng)絡，對支持這種尖端網(wǎng)絡的先進材料的需求量很大。亞硝酸鎵半導體通過將 5G 技術
02-24
碳化硅功率器件封裝關鍵技術(1)
摘要：碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件，具有耐高壓、高溫，導通電阻低，開關速度快等優(yōu)點。如何充分發(fā)揮碳化硅
02-15
氮化鎵外延為何不生長在氮化鎵襯底上？一個字：難！
第3代半導體材料擁有硅材料無法比擬的材料性能優(yōu)勢，從決定器件性能的禁帶寬度、熱導率、擊穿電場等特性來看，第3代半導體均比硅材料優(yōu)秀，
02-06
芯片設計行業(yè)的新趨勢
芯片設計隨著時間推移正在變得越來越復雜是業(yè)界人士的共識，但是究竟復雜體現(xiàn)在哪些方面，并且隨著復雜度提升，還有哪些沒有解決的問題，這
小小芯片，引致全球爭奪
芯片制造原本是企業(yè)之間的較量，但在多種因素影響下，現(xiàn)在已經(jīng)發(fā)展成為全球多國的技術軍備競賽和地緣政治之戰(zhàn)。制造半導體是一項異常復雜、
01-30
硅的繼任者，二維材料有了新進展
根據(jù)摩爾定律，自 1960 年代以來，微芯片上的晶體管數(shù)量每年都翻一番。但預計這一軌跡很快就會趨于平穩(wěn)，因為一旦用這種材料制成的設備尺
01-05
第三代半導體材料之氮化鎵襯底
ZSW團隊的薄膜光伏串聯(lián)技術可以沉積在塑料或鋼膜上，以制造輕質(zhì)、靈活的組件作者：《化合物半導體》主編 陸敏2英寸高品質(zhì)氮化鎵襯底價格就
12-19
2022
3C-SiC有望PK單晶金剛石，成為高導熱材料的選擇
日前，自然通訊（Nature Communications）期刊發(fā)表了伊利諾伊大學香檳分校材料科學與工程學院科研人員發(fā)布的重要發(fā)現(xiàn)——立方碳化硅(3C-Si
Yole | 汽車芯片數(shù)量將超1000，碳化硅增長更快
市場研究公司Yole表示，盡管輕型汽車市場相對平穩(wěn)，但半導體芯片市場預計將從2021的440億美元增長到2027年的807億美元，復合年增長率為11 1
光纖法珀式SiC耐高溫壓力傳感器的制造與測試
高溫極端環(huán)境下的壓力原位直接測量在航空發(fā)動機工作狀態(tài)監(jiān)測、石油油井環(huán)境探測等高溫高壓領域存在迫切需求，耐高溫壓力傳感器技術已經(jīng)成為
12-02
半導體知識科普— 半導體材料的分類
01第一代半導體材料第一代半導體材料主要以硅，鍺為主。上一期和大家簡單提及過，硅元素在地球上貯存非常豐富，占了地球整體的26 4%，超過
? 2021 江蘇沃昇半導體科技有限公司 All rights reserved
