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10-14
2022
什么是晶圓級封裝技術(shù)？
傳統(tǒng)上，IC芯片與外部的電氣連接是用金屬引線以鍵合的方式把芯片上的I／O連至封裝載體并經(jīng)封裝引腳來實現(xiàn)。隨著IC芯片特征尺寸的縮小和集成規(guī)模的擴大，I／O的間距不斷減小、數(shù)量不斷增多。當I／O間距縮小到70 um以下時，
10-13
SiC MOSFET特性分析及應(yīng)用
碳化硅 MOSFET 因其材料的特殊性，適合高壓、高頻和高功率密度場合。該文設(shè)計一種碳化硅 MOSFET 的驅(qū)動電路，通過軟件 PSpice 對碳化硅 MOSFET 以及碳化硅肖特基二極管的開關(guān)特性進行仿真研究，并設(shè)計 RC 緩沖電路解決開關(guān)的尖峰
應(yīng)用領(lǐng)域廣闊致碳化硅市場熱度飆升
碳化硅功率器件替代優(yōu)勢明顯，在高壓高功率領(lǐng)域性能強勁。功率器件是電力電子行業(yè)的重要基礎(chǔ)元器件之一，作用是實現(xiàn)對電能的處理、轉(zhuǎn)換和控制，主要包括功率二極管、功率三極管、晶閘管、MOSFET、IGBT 等。碳化硅功率器
10-12
碳化硅器件制造那些事兒
我們知道，在半導體領(lǐng)域里，單晶硅（Si）是全球應(yīng)用最廣泛、產(chǎn)量最大的半導體基礎(chǔ)材料，目前90%以上的半導體產(chǎn)品都是使用硅基材料制造。隨
碳化硅單晶襯底加工技術(shù)現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢
碳化硅單晶具有極高的硬度和脆性，傳統(tǒng)加工方式已經(jīng)不能有效地獲得具有超高光滑表面的碳化硅晶片。針對碳化硅單晶襯底加工技術(shù)，本文綜述了碳化硅單晶切片、薄化與拋光工藝段的研究現(xiàn)狀，分析對比了切片、薄化、拋光
05-30
開卷知新 | 王陽元：集成電路——社會信息化的“引擎”
信息時代，集成電路無處不在。大到航空航天、高鐵船舶，小到手機電腦、智能手表，集成電路都是關(guān)鍵部件。甚至傳統(tǒng)農(nóng)業(yè)工業(yè)，也正在通過集成
05-27
埃米時代的芯片制造工藝路線圖：新結(jié)構(gòu)、新材料、新工藝
據(jù)日經(jīng)報道，imec 首席執(zhí)行官 Luc Van den hove在日前舉辦的年度盛會FUTURE SUMMITS 2022的演講中表示，結(jié)合多種技術(shù)可，我們可以擴
05-26
MiniLED行業(yè)專題報告：背光Mini LED開啟高速成長期
需求端：硬件創(chuàng)業(yè)主要發(fā)力點，Mini LED切中市場風口Mini LED是指尺寸為50-200微米的LED芯片，Mini LED可用于背光及直顯領(lǐng)域。Mini LED
05-25
SiC功率技術(shù)發(fā)展趨勢及研發(fā)進展（下）
本文轉(zhuǎn)載自微信公眾號EDC電驅(qū)未來，不做商業(yè)用途，僅作新聞參考。
SiC功率技術(shù)發(fā)展趨勢及研發(fā)進展（上）
05-24
SiC MOSFET 短路保護技術(shù)綜述（下）
3）電流傳感器電流傳感器廣泛應(yīng)用在電力設(shè)備電流測量中，如霍爾器件、羅氏線圈等，其原理簡單且可靠性高，功率回路和測量回路具備電氣隔離
SiC MOSFET 短路保護技術(shù)綜述（上）
0 引言經(jīng)過半個世紀的發(fā)展，傳統(tǒng)硅（Silicon, Si）功率半導體器件性能已達到極限，難以滿足新能源裝備高效、高功率密度等新的發(fā)展需求。
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