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11-21
2023
點(diǎn)缺陷及在半導(dǎo)體材料中作用
3 引入空位后應(yīng)力的變化傳統(tǒng)的降低GaN層位錯(cuò)密度的策略是引入三維（3D）生長(zhǎng)模式的各種方式，如外延橫向過(guò)度生長(zhǎng)（ELOG）和SiNx層。這里提
在半導(dǎo)體材料中，點(diǎn)缺陷常常會(huì)影響器件的性能和可靠性，點(diǎn)缺陷包含空位、絡(luò)合物以及中間物等。點(diǎn)缺陷在外延材料生長(zhǎng)中似乎不可避免，我們總
一文了解分子束外延(MBE)技術(shù)（2）
生長(zhǎng)模式的不同受生長(zhǎng)熱力學(xué)和動(dòng)力學(xué)過(guò)程控制。所以，在MBE生長(zhǎng)過(guò)程中控制生長(zhǎng)溫度和生長(zhǎng)速率是控制外延材料質(zhì)量的關(guān)鍵。在InAs GaSb超晶格
一文了解分子束外延(MBE)技術(shù)（1）
一、什么是外延？很多人，尤其是小朋友喜歡吃生日蛋糕，蛋糕在制作時(shí)先蒸好蛋糕的底材形狀，在半導(dǎo)體中稱為襯底。再在蛋糕上刷一層奶油，奶
通過(guò)碳化硅 TOLL 封裝開(kāi)拓人工智能計(jì)算的前沿
通過(guò)碳化硅 TOLL 封裝開(kāi)拓人工智能計(jì)算的前沿Wolfspeed 采用 TOLL 封裝的碳化硅 MOSFET 產(chǎn)品組合豐富，提供優(yōu)異的散熱，極大簡(jiǎn)化了
09-21
行業(yè)觀點(diǎn) | 高溫、特種電源——SiC大顯身手
一、碳化硅賽道緣何如此火熱近年來(lái)，隨著新能源汽車、光伏、儲(chǔ)能等市場(chǎng)的快速增長(zhǎng)，具備耐溫、耐壓、高功率、低損耗等特性的碳化硅材料蓬勃
09-08
氧化鎵襯底的長(zhǎng)晶與外延工藝
半導(dǎo)體材料的長(zhǎng)晶工藝熔體法是生長(zhǎng)半導(dǎo)體材料最理想的方式，有以下幾個(gè)優(yōu)勢(shì)。尺寸大：小籽晶能夠長(zhǎng)出大晶體；產(chǎn)量高：每爐晶錠可切出上千片
08-17
氮化鎵GaN技術(shù)概覽
08-02
碳化硅二極管VS硅二極管，碳化硅有哪些優(yōu)勢(shì)呢？
碳化硅（SiC）作為第三代半導(dǎo)體材料，可實(shí)現(xiàn)以前使用硅（Si）無(wú)法實(shí)現(xiàn)的許多高功率應(yīng)用。650V碳化硅肖特基二極管，主要面向需要超高性能、
07-24
江蘇沃昇與武漢三氟達(dá)成泛半導(dǎo)體、儲(chǔ)能戰(zhàn)略合作伙伴！
江蘇沃昇半導(dǎo)體與武漢三氟于近期達(dá)成戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，將攜手共同引領(lǐng)氟化液產(chǎn)業(yè)的新紀(jì)元。這一戰(zhàn)略合作將豐富資源、行業(yè)影響力與
06-30
3M宣布2025年底前停產(chǎn)PFAS！半導(dǎo)體制造業(yè)或受沖擊！
當(dāng)?shù)貢r(shí)間12月20日，消費(fèi)品和工業(yè)用品制造大廠3M公司宣布，將全面退出全氟和多氟烷基物質(zhì)（PFAS）生產(chǎn)，努力在2025年底前停止在其產(chǎn)品組合中
06-16
1200V氮化鎵挑戰(zhàn)SiC是否真的可行？
在全球最大的電力電子展 PCIM Europe 2023 上，旨在以類似硅的成本實(shí)現(xiàn)垂直 GaN（氮化鎵）功率晶體管的歐洲財(cái)團(tuán) YESvGaN 介紹了其方
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