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半導(dǎo)體圖案化工藝流程之：刻蝕簡(jiǎn)析（1）

圖案化工藝包括曝光(Exposure)、顯影(Develope)、刻蝕(Etching)和離子注入等流程。其中，刻蝕工藝是光刻（Photo）工藝的下一步，用于去除光

晶圓背面研磨(Back Grinding)工藝簡(jiǎn)介

經(jīng)過前端工藝處理并通過晶圓測(cè)試的晶圓將從背面研磨（Back Grinding）開始后端處理。背面研磨是將晶圓背面磨薄的工序，其目的不僅是為了減

碳化硅MOSFET性能的優(yōu)勢(shì)與技術(shù)的難點(diǎn)

引言碳化硅功率器件近年來越來越廣泛應(yīng)用于工業(yè)領(lǐng)域，受到大家的喜愛，不斷地推陳出新，大量的更高電壓等級(jí)、更大電流等級(jí)的產(chǎn)品相繼推出，

6英寸4H-SiC晶體冷卻過程中籽晶與籽晶托粘附收縮分離方法

介紹碳化硅是最具吸引力和發(fā)展前景的寬帶隙半導(dǎo)體材料之一。商用SiC功率器件最近用生長(zhǎng)在直徑6英寸的n型4H-SiC襯底上的SiC外延層制成。然而

激光在碳化硅半導(dǎo)體晶圓制程中的應(yīng)用

碳化硅是一種性能優(yōu)異的第三代半導(dǎo)體材料，具有光學(xué)性能良好、化學(xué)惰性大、物理特性優(yōu)良的特點(diǎn)，包括帶隙寬、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率高和耐高溫

缺陷密度對(duì)4H-SiC襯底力學(xué)特性的影響

介紹結(jié)構(gòu)擴(kuò)展和點(diǎn)狀缺陷的存在不僅會(huì)從電氣角度影響SiC器件的性能，還會(huì)從機(jī)械角度影響SiC器件的性能。眾所周知，SiC缺陷不利于電氣可靠性

用釕鈍化氮化鎵

來自印度的一個(gè)團(tuán)隊(duì)正在率先使用釕溶液來鈍化GaN表面。有效的鈍化對(duì)于優(yōu)化GaN器件的性能至關(guān)重要，因?yàn)樗搜蹼s質(zhì)和

離子注入介紹

離子注入是指當(dāng)真空中有一束離子束射向一塊固體材料時(shí)，離子束把固體材料的原子或分子撞出固體材料表面，這個(gè)現(xiàn)象叫做濺射；而當(dāng)離子束射到

干法蝕刻（dry etch）與濕法蝕刻（wet etch）原理(4)

氮化硅刻蝕氮化硅普遍應(yīng)用于形成隔離的工藝中。圖5顯示了以雙載流子晶體管為主的IC晶體管制造，采用了單晶硅和氮化硅刻蝕的隔離工藝。圖5絕

干法蝕刻（dry etch）與濕法蝕刻（wet etch）原理(3）

圖2濕法刻蝕輪廓示意圖圖3 酒杯狀接觸窗孔硅刻蝕單晶硅刻蝕用來形成相鄰晶體管間的絕緣區(qū)，多晶硅刻蝕用于形成柵極和局部連線。硝酸（HNO3

干法蝕刻（dry etch）與濕法蝕刻（wet etch）原理（2）

化學(xué)蝕刻主要用含碳氟氣體(CxFr)，基本原理是F自由基與Si結(jié)合生成氣態(tài)的SiF4碳氟氣體(CF4，CHF3，C3F:等)在化學(xué)蝕刻過程中生成的不飽和

干法蝕刻（dry etch）與濕法蝕刻（wet etch）原理（1））

1 干法刻蝕 干法刻蝕主要是指等離子體刻蝕，等離子體刻蝕主要采用兩種放電模式，即電容耦合放電和電感耦合放電。在電容耦合放電模