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05-13
2022
SiC產(chǎn)業(yè)的新趨勢：垂直整合是其中之一
韓國SK集團(tuán)通過收購，正是成為又一個控制了SiC全鏈條的公司。而根據(jù)咨詢分析公司Yole的報道，這已經(jīng)成為了SiC產(chǎn)業(yè)的一個重要趨勢。Yole 的
05-12
Sic離子注入和高溫退火工藝及監(jiān)控
在傳統(tǒng)的Si功率器件工藝中，高溫擴散和離子注入是最主要的摻雜控制方法，兩者各有優(yōu)缺點。一般來講，高溫擴散工藝簡單，設(shè)備便宜，摻雜分布
05-11
家電領(lǐng)域碳化硅應(yīng)用市場
碳化硅與空調(diào)行業(yè)碰撞出的火花碳化硅作為綜合性能最好、商品化程度最高、技術(shù)最成熟的第三代半導(dǎo)體材料，目前已經(jīng)在5G通信、PD快充、新能源
05-10
超高壓碳化硅 N 溝道 IGBT 器件的設(shè)計與制造
碳化硅（SiC）材料作為第三代半導(dǎo)體材料的代表之一，其禁帶寬度達(dá)到 3 26 eV，是硅（Si）材料的 3 倍，臨界擊穿電場強度是 Si 材料的
05-09
什么是化合物半導(dǎo)體？
什么是氮化鎵？氮化鎵何以占據(jù)C位？氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）
03-23
SiC產(chǎn)品和Si產(chǎn)品的兩點比較
SiC肖特基勢壘二極管的特征，及與Si二極管的比較
02-28
英特爾將在德國建新芯片工廠
2月28日消息，據(jù)報道，一位知情人士透露，英特爾已經(jīng)選擇了德國城市馬格德堡作為其新的投資額為數(shù)十億美元的歐洲芯片工廠的地址，該公司
英諾賽科為手持移動設(shè)備提供GaN HEMT
中國GaN公司英諾賽科日前宣布推出INN40W08，這是一款適用于筆記本電腦和手機等移動設(shè)備的40V雙向GaN-on-Si增強模式HEMT。INN40W08 HEMT是
氮化鎵半導(dǎo)體材料研究與應(yīng)用現(xiàn)狀
電力電子、新能源、電動汽車、5G通訊、高速軌道列車、能源互聯(lián)網(wǎng)和智能工業(yè)等領(lǐng)域的興起，對功率器件的性能提出了越來越高的要求。但傳統(tǒng)
中國的麒麟“心”
在美國用出口限制了華為獲得先進(jìn)制程芯片的渠道，華為沒有選擇坐以待斃，而是通過成立華為哈勃投資公司，加大對中國本土芯片半導(dǎo)體的投資布
01-26
中國GaN公司英諾賽科走向國際
制造硅基氮化鎵電源解決方案的中國公司英諾賽科宣布正式啟動其在美國和歐洲的國際業(yè)務(wù)。英諾賽科總部位于中國蘇州，現(xiàn)在準(zhǔn)備通過在加
11-25
2021
突發(fā)！新華三半導(dǎo)體、國科微等12家中企被美列入實體清單
11月25日消息，美國商務(wù)部工業(yè)和安全局于當(dāng)?shù)貢r間11月24日修訂實體清單。據(jù)美國商務(wù)部官網(wǎng)顯示，美國商務(wù)部工業(yè)與安全局宣布將27個實
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