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11-29
2022
GaN功率半導(dǎo)體的2023預(yù)測
GaN Systems 對 2023 年做出了預(yù)測，涵蓋功率半導(dǎo)體的供應(yīng)鏈，以增加數(shù)據(jù)中心和電動汽車的可持續(xù)性法規(guī)。我們正處于功率 GaN 技術(shù)的
11-17
化合物半導(dǎo)體將變得無處不在
化合物半導(dǎo)體基板市場受到功率和光子學(xué)應(yīng)用的強烈推動，到 2027 年將達到接近24億美元，復(fù)合年增長率為 16%。在過去的幾十年中，化合物
11-15
下一代晶體管，有何不同？
經(jīng)過近十年和五個主要節(jié)點以及大量半節(jié)點之后，半導(dǎo)體制造業(yè)將開始從finFET過渡到3nm技術(shù)節(jié)點的全柵堆疊納米片晶體管架構(gòu)。相對于finFET，
11-08
碳化硅器件制造那些事兒（二）
離子注入是一種向半導(dǎo)體材料內(nèi)加入一定數(shù)量和種類的雜質(zhì)，以改變其電學(xué)性能的方法，可以精確控制摻入的雜質(zhì)數(shù)量和分布情況。一為什么采用離
11-03
碳化硅將綠色替代品拉入良性循環(huán)
推動電動汽車市場的綠色意識和法規(guī)推動了電池技術(shù)和碳化硅設(shè)計的創(chuàng)新，以改變綠色能源的產(chǎn)生。現(xiàn)在，對可再生能源擴張的需求至關(guān)重要。日益
11-02
技術(shù)進展 | 碳化硅單晶薄膜制備技術(shù)及集成光子應(yīng)用
導(dǎo)讀近日，美國物理聯(lián)合會(American Institute of Physics)旗下的著名期刊《應(yīng)用物理評論》（Applied Physics Reviews）在線發(fā)表了上
10-26
向單芯片的GaN器件進軍
幾十年來，硅基功率晶體管（MOSFET、場效應(yīng)晶體管）構(gòu)成了功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的支柱，可將交流電 (AC) 轉(zhuǎn)換為直流電 (DC)，反之亦然，或?qū)⒅绷?
10-25
MOS與IGBT在新能源車、光伏等領(lǐng)域需求
1 下半年MOS與IGBT在新能源車、光伏等領(lǐng)域需求繼續(xù)維持高增長趨勢，其中新能源車進入年終消費旺季，歐洲在俄烏沖突影響下對光伏需求不減，均帶動功率器件需求Q4持續(xù)旺盛；消費類需求目前仍疲軟，但Q4下滑趨勢有望放緩，
10-19
AI芯片市場飛速發(fā)展
據(jù)TrendForce表示，在全球數(shù)字化、智能化的浪潮下，物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備不斷擴增，例如工業(yè)機器人、AGV AMR、智能型手機、智能音箱、智能攝影機等，
10-17
第三代半導(dǎo)體加速爆發(fā)，SiC、GaN產(chǎn)業(yè)化進度如何？
新冠疫情爆發(fā)后，第三代半導(dǎo)體的發(fā)展進入到關(guān)鍵期。根據(jù)業(yè)內(nèi)的主流觀點，在過去一兩年里SiC和GaN已經(jīng)開啟商業(yè)化。今年年初，筆者對SiC(碳化硅)和GaN(氮化鎵)的競爭格局、發(fā)展趨勢以及供應(yīng)商情況做過解讀，本文則再談?wù)凷iC
下一代功率電子材料--AlGaN
到目前為止，SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵）作為功率電子器件晶體管的半導(dǎo)體材料的研發(fā)已經(jīng)取得進展，并且已經(jīng)開始實用化。通常由輕元素構(gòu)成的半導(dǎo)體的介電擊穿電阻較高，但是如果將GaN中的一部分Ga替換為較輕的Al并制成Al
10-14
氧化鎵打開芯片大戰(zhàn)新篇章
三家公司作為氧化鎵襯底、晶圓和器件的開發(fā)商和制造商脫穎而出，分別是美國的Kyma Technologies和日本的FLOSFIA和Novel Crystal Technology。讓我們深入了解這些早期領(lǐng)導(dǎo)者。
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