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硅的替代材料，新突破

二維半導(dǎo)體有機(jī)會(huì)激發(fā)電子設(shè)備功能的重大進(jìn)步，取代硅基芯片。然而，許多問題繼續(xù)阻礙這些設(shè)備的發(fā)展。一個(gè)主要問題是載流子遷移率，即電子

5G 網(wǎng)絡(luò)中的氮化鎵半導(dǎo)體

隨著 5G 技術(shù)的發(fā)展，人們正在爭奪更快、更可靠的通信網(wǎng)絡(luò)，對(duì)支持這種尖端網(wǎng)絡(luò)的先進(jìn)材料的需求量很大。亞硝酸鎵半導(dǎo)體通過將 5G 技術(shù)

碳化硅功率器件封裝關(guān)鍵技術(shù)(1)

摘要：碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件，具有耐高壓、高溫，導(dǎo)通電阻低，開關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)。如何充分發(fā)揮碳化硅

氮化鎵外延為何不生長在氮化鎵襯底上？一個(gè)字：難！

第3代半導(dǎo)體材料擁有硅材料無法比擬的材料性能優(yōu)勢，從決定器件性能的禁帶寬度、熱導(dǎo)率、擊穿電場等特性來看，第3代半導(dǎo)體均比硅材料優(yōu)秀，

芯片設(shè)計(jì)行業(yè)的新趨勢

芯片設(shè)計(jì)隨著時(shí)間推移正在變得越來越復(fù)雜是業(yè)界人士的共識(shí)，但是究竟復(fù)雜體現(xiàn)在哪些方面，并且隨著復(fù)雜度提升，還有哪些沒有解決的問題，這

小小芯片，引致全球爭奪

芯片制造原本是企業(yè)之間的較量，但在多種因素影響下，現(xiàn)在已經(jīng)發(fā)展成為全球多國的技術(shù)軍備競賽和地緣政治之戰(zhàn)。制造半導(dǎo)體是一項(xiàng)異常復(fù)雜、

硅的繼任者，二維材料有了新進(jìn)展

根據(jù)摩爾定律，自 1960 年代以來，微芯片上的晶體管數(shù)量每年都翻一番。但預(yù)計(jì)這一軌跡很快就會(huì)趨于平穩(wěn)，因?yàn)橐坏┯眠@種材料制成的設(shè)備尺

第三代半導(dǎo)體材料之氮化鎵襯底

ZSW團(tuán)隊(duì)的薄膜光伏串聯(lián)技術(shù)可以沉積在塑料或鋼膜上，以制造輕質(zhì)、靈活的組件作者：《化合物半導(dǎo)體》主編 陸敏2英寸高品質(zhì)氮化鎵襯底價(jià)格就

3C-SiC有望PK單晶金剛石，成為高導(dǎo)熱材料的選擇

日前，自然通訊（Nature Communications）期刊發(fā)表了伊利諾伊大學(xué)香檳分校材料科學(xué)與工程學(xué)院科研人員發(fā)布的重要發(fā)現(xiàn)——立方碳化硅(3C-Si

Yole | 汽車芯片數(shù)量將超1000，碳化硅增長更快

市場研究公司Yole表示，盡管輕型汽車市場相對(duì)平穩(wěn)，但半導(dǎo)體芯片市場預(yù)計(jì)將從2021的440億美元增長到2027年的807億美元，復(fù)合年增長率為11 1

光纖法珀式SiC耐高溫壓力傳感器的制造與測試

高溫極端環(huán)境下的壓力原位直接測量在航空發(fā)動(dòng)機(jī)工作狀態(tài)監(jiān)測、石油油井環(huán)境探測等高溫高壓領(lǐng)域存在迫切需求，耐高溫壓力傳感器技術(shù)已經(jīng)成為

半導(dǎo)體知識(shí)科普— 半導(dǎo)體材料的分類

01第一代半導(dǎo)體材料第一代半導(dǎo)體材料主要以硅，鍺為主。上一期和大家簡單提及過，硅元素在地球上貯存非常豐富，占了地球整體的26 4%，超過