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11-21
2023
點缺陷及在半導體材料中作用
3 引入空位后應力的變化傳統(tǒng)的降低GaN層位錯密度的策略是引入三維（3D）生長模式的各種方式，如外延橫向過度生長（ELOG）和SiNx層。這里提
在半導體材料中，點缺陷常常會影響器件的性能和可靠性，點缺陷包含空位、絡合物以及中間物等。點缺陷在外延材料生長中似乎不可避免，我們總
一文了解分子束外延(MBE)技術（2）
生長模式的不同受生長熱力學和動力學過程控制。所以，在MBE生長過程中控制生長溫度和生長速率是控制外延材料質量的關鍵。在InAs GaSb超晶格
一文了解分子束外延(MBE)技術（1）
一、什么是外延？很多人，尤其是小朋友喜歡吃生日蛋糕，蛋糕在制作時先蒸好蛋糕的底材形狀，在半導體中稱為襯底。再在蛋糕上刷一層奶油，奶
通過碳化硅 TOLL 封裝開拓人工智能計算的前沿
通過碳化硅 TOLL 封裝開拓人工智能計算的前沿Wolfspeed 采用 TOLL 封裝的碳化硅 MOSFET 產品組合豐富，提供優(yōu)異的散熱，極大簡化了
09-21
行業(yè)觀點 | 高溫、特種電源——SiC大顯身手
一、碳化硅賽道緣何如此火熱近年來，隨著新能源汽車、光伏、儲能等市場的快速增長，具備耐溫、耐壓、高功率、低損耗等特性的碳化硅材料蓬勃
09-08
氧化鎵襯底的長晶與外延工藝
半導體材料的長晶工藝熔體法是生長半導體材料最理想的方式，有以下幾個優(yōu)勢。尺寸大：小籽晶能夠長出大晶體；產量高：每爐晶錠可切出上千片
08-17
氮化鎵GaN技術概覽
08-02
碳化硅二極管VS硅二極管，碳化硅有哪些優(yōu)勢呢？
碳化硅（SiC）作為第三代半導體材料，可實現以前使用硅（Si）無法實現的許多高功率應用。650V碳化硅肖特基二極管，主要面向需要超高性能、
07-24
江蘇沃昇與武漢三氟達成泛半導體、儲能戰(zhàn)略合作伙伴！
江蘇沃昇半導體與武漢三氟于近期達成戰(zhàn)略合作伙伴關系，將攜手共同引領氟化液產業(yè)的新紀元。這一戰(zhàn)略合作將豐富資源、行業(yè)影響力與
06-30
3M宣布2025年底前停產PFAS！半導體制造業(yè)或受沖擊！
當地時間12月20日，消費品和工業(yè)用品制造大廠3M公司宣布，將全面退出全氟和多氟烷基物質（PFAS）生產，努力在2025年底前停止在其產品組合中
06-16
1200V氮化鎵挑戰(zhàn)SiC是否真的可行？
在全球最大的電力電子展 PCIM Europe 2023 上，旨在以類似硅的成本實現垂直 GaN（氮化鎵）功率晶體管的歐洲財團 YESvGaN 介紹了其方
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